IBAD IBED IAD Ion Beam ede Deposition

(Lon Beam Assisted Depositon oswa Ion Beam Enhanced Deposition (IBAD oswa IBED) se yon sifas konpoze sifas Ion teknoloji ki konbine Ion Beam enplantasyon ak gaz Deposition Deposition teknoloji, ak tou yon nouvo teknoloji pou optimize tretman sifas nan Ion Beam. modifikasyon sifas nan materyèl ion-implantation, teknoloji depo composite sa a fè melanje fim ak matris nan koòdone ki te koze pa kolizyon kaskad ki te koze pa iyon-implantation, ak jenere kouch tranzisyon ak byen konbine. Se poutèt sa, bonbon ion beam rive nan menm tan an kòm fim depo.Se poutèt sa, li se yon devlopman enpòtan nan teknoloji modèl gwo bout bwa ion ak yon nouvo sifas konpozisyon iyon tretman teknoloji konbine piki ion ak teknoloji kouch.

Avantaj:

1. Ion-gwo bout bwa ede depozisyon pa egzije egzeyat gaz nan yon chanm vakyòm jenere plasma, ki ka <>

Mwayen kouch diminye polisyon gaz.

2. Paramèt pwosesis debaz yo (enèji gwo bout bwa enèji, dansite gwo bout bwa ion) se paramèt, ak kèk paramèt ki pa elektrik tankou kontwòl koule gaz jeneralman yo pa bezwen, sa ki ka byen kontwole kwasans lan nan kouch fim, ajiste konpozisyon an, estrikti ak repetition pwosesis nan fim nan.

3. Sifas la matyè ka kouvwi ak yon fim konplètman diferan de substrate la ak yon epesè pa limite pa enèji a nan bonbadman iyon nan tanperati ki ba (<200 ℃)="" .li="" se="" apwopriye="" pou="" tretman="" an="" sifas="" nan="" fim="" elektwonik="" fonksyonèl,="" frèt="" dosye="" presizyon="" mouri="" ak="" tanperati="" ki="" ba="" tanpering="" asye="">

4. Ion gwo bout bwa ede depozisyon se yon pwosesis nonquilibrium kontwole nan tanperati chanm.Nouvo fonksyonèl fim tankou faz tanperati segondè, faz metastab ak alyaj amorph ka jwenn nan tanperati chanm.

Baj popilè: ibad ibed iad ion gwo bout bwa ede depozisyon, Lachin, manifaktirè, Swèd, achte, Customized, te fè nan peyi Lachin